窒化ガリウム
GaNへの深さ100μmザグリ加工
次世代パワー半導体での活躍が期待される窒化ガリウムへ
エンボス加工に加え、ザグリ加工も実施いたしました。
Φ300μmの範囲...
前回ご案内した深さ5μm、20μmのザグリ加工に引き続き、
窒化ガリウムへ深さ100μmのザグリを作成いたしました！
入口径Φ300μm、深さ100μmの加工をご覧ください。
弊社加工ノウハウで斜面の角度をコントロールし、
底面径Φ100μmになるよう形状を制御しています。
加工のご相談はこちらからお送りください。