技術情報
GaNへのザグリ加工
次世代パワー半導体の材料として注目されている窒化ガリウム。
脱炭素化を進めていくためにも、
変換ロスが少なく高効率なGaN半導体の開発が...
次世代パワー半導体での活躍が期待される窒化ガリウムへ
エンボス加工に加え、ザグリ加工も実施いたしました。
Φ300μmの範囲へ、深さ5μmと20μmのザグリ加工を行っています。
深さのコントロールや底面の精度をご確認ください。
深さ5μmザグリ
深さ20μm
もちろん、エンボス、ザグリ加工以外にも
ディンプル加工、切断加工、穴あけ加工など
任意の形状に加工が可能です。
加工のご相談はこちらからお送りください。