次世代パワー半導体の材料として注目されている窒化ガリウム。
脱炭素化を進めていくためにも、
変換ロスが少なく高効率なGaN半導体の開発が急がれています。

環境省でも
GaN技術による脱炭素社会・ライフスタイル先導イノベーション事業　として
以前からGaNデバイスの量産化、実用化に注力してきました。
産業廃棄物が少なくドライプロセスであることから
環境にやさしい技術を掲げているリプス・ワークスとしても
ぜひ力を入れたい分野です。

今回はこのGaNへ
底面径Φ130μm、ピッチ180μm、高さ50μmの
半球状エンボス加工を実現いたしました。

弊社の加工ノウハウを活用することで
硬度の高いGaNも高精度に加工可能です。

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